QS6M3
Transistors
P-ch
Measurement circuit
Pulse Width
V GS
I D
V DS
V GS
10%
50%
90%
50%
R L
R G
D.U.T.
10%
10%
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
tf
t on
t off
Fig.3-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.3-2 Switching Waveforms
V G
I G(Const.)
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
R G
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.4-1 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.4-2 Gate Charge Waveform
Rev.B
7/7
相关PDF资料
QS6M4TR MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
QS6U22TR MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
QS6U24TR MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
QS8K2TR MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
QSB320FTR PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 2-PLCC
QSB34 PHOTODIODE GULL WING SMD
QSB363CYR PHOTOTRANSISTOR IR GULL WING 5MM
QSB363GR PHOTOTRANS IR 940NM GW TOPLOOKER
相关代理商/技术参数
QS6M4 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Pch(20V)Nch(30V),1.5A2,TSMT6
QS6M4_1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Pch MOSFET
QS6M4TR 功能描述:MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
QS6U22 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS6U22_1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS6U22TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
QS6U24 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (-30V, -1A)
QS6U24_1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+SBD MOS FET